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【2h】

Intra-level dielectric reliability in deep sub-micron copper interconnects

机译：深亚微米铜互连中的层内介电可靠性

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作者
NGWAN VOON CHENG;
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年度 2004
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机译：深层微米技术节点芯片上芯片光学和铜VLSI互连的比较分析
2. Time Dependent Dielectric Breakdown in Copper Low-k Interconnects: Mechanisms and Reliability Models [J] . Terence K.S. Wong Materials . 2012,第9期

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3. Integration of gas cluster process for copper interconnects reliability improvement and process impact evaluation on BEOL dielectric materials [J] . R. Gras, L.G. Gosset, M. Hopstaken, Microelectronic Engineering . 2007,第9a10期

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机译：铜低k互连中随时间变化的介电击穿：机理和可靠性模型
7. Time Dependent Dielectric Breakdown in Copper Low-k Interconnects: Mechanisms and Reliability Models [O] . Terence K.S. Wong 2012

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