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【2h】

Redesign of database algorithms for next generation non-volatile memory technology

机译：重新设计下一代非易失性存储技术的数据库算法

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作者
HU WEIWEI;
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年度 2013
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3. Resistive switching characteristics of solution-processed TiO_x for next-generation non-volatile memory application; transparency, flexibility, and nano-scale memory feasibility [J] . Seungjae Jung, Jaemin Kong, Sunghoon Song, Microelectronic Engineering . 2011,第7期

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