机译:多层MOS2晶体管电触点的肖特基势垒高度工程,减少金属诱导的间隙状态
机译:用于纳米级CMOS电路的掺杂剂隔离肖特基势垒SOI MOSFET中的工程掩埋氧化物
机译:掺杂剂隔离的肖特基势垒SOI MOSFET中的工程隔离物,用于纳米级CMOS逻辑电路
机译:CMOS带边缘肖特基势垒高度使用介电 - 偶极性(DDM)金属/ SI用于源/漏极接触电阻降低
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:顶部栅极石墨烯场效应晶体管中金属石墨烯触点的栅极控制肖特基势垒降低的物理模型
机译:纳米级CMOS技术中用于降低接触电阻的硅化镍界面工程
机译:au-Gaas肖特基势垒的零偏接触电阻