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【2h】

Liquid phase epitaxial growth and fabrication of gallium phosphide green light emitting diodes

机译：液相外延生长磷化镓绿色发光二极管及其制备

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NG CHIEW HAI;
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年度 2004
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机译：浸涂技术制备6H-SiC液相外延生长制备蓝色发光二极管
2. Ambient Temperature–Corrected Mechanical Stress Mapping of Gallium Nitride and Aluminum Indium Gallium Phosphide Films by Raman Scattering Spectroscopy for Characterization of Light-Emitting Diodes [J] . Xiaoru Guo, Asad Mughal, Darren Dunphy, Physica status solidi . 2020,第7期

机译：氮化镓和铝铟镓磷化物薄膜的环境温度校正机械应力映射的拉曼散射光谱法表征发光二极管
3. Gallium arsenide phosphide light‐emitting diodes as general thermometers above 35 K [J] . Review of Scientific Instruments . 1983,第7期

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4. Multislice liquid phase epitaxial, growth of GaP:N yellow-green light-emitting diodes [C] . Sen-Mao Liao, Shan-Ming Lan . 1994

机译：多层液相外延生长GaP：N黄绿色发光二极管
5. Organometallic vapor-phase epitaxial growth and characterization of III-V semiconductor alloys emitting visible light: Gallium arsenic phosphide, gallium indium phosphide, and aluminum gallium indium phosphide. [D] . Cao, Diansheng. 1991

机译：发出可见光的III-V半导体合金的有机金属气相外延生长和表征：磷化砷化镓，磷化铟镓和磷化铝镓铟。
6. Indium gallium nitride-based ultraviolet blue and green light-emitting diodes functionalized with shallow periodic hole patterns [O] . Hyun Jeong, Rafael Salas-Montiel, Gilles Lerondel, -1

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7. Liquid-phase epitaxial growth and characterization of InGaAsP layers grown on GaAsP substrates for application to orange light-emitting diodes [O] . CHEN CW 2012

机译：在GaAsP衬底上生长的InGaAsP层的液相外延生长和表征，用于橙色发光二极管

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