机译:宽带隙稀释的磁性半导体和氧化物中的空穴态
机译:宽带隙高k Y_2O_3作为钝化中间层,用于增强具有高k HfTiO栅极电介质的n-Ge金属氧化物半导体电容器的电性能和高场可靠性
机译:具有高k ALD ZrO_2介电层的超宽带隙AlGaN金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管
机译:宽带隙半导体与硅半导体的结构比较以及高开关频率反激转换器的性能比较
机译:p型氟化钡铜,氟化钡铜硒,氟化钡铜碲和n型氧化锌铟宽带隙半导体的脉冲激光沉积和薄膜特性。
机译:用于金属氧化物半导体电容器和场效应晶体管的氢化金刚石上高k氧化物概述
机译:宽带隙稀磁半导体和氧化物中的空穴态