机译:用于光电应用的III-V类化合物半导体的分子束外延技术
机译:具有毫米波应用的高K /低K复合栅极介电层的AlGaN / GaN金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管的设计优化
机译:隧道场效应晶体管中用于单极传导的III-V组三元化合物半导体材料
机译:应用先进的PlanetaryReactor®技术在6英寸Ge晶片上生产用于CPV的III-V化合物半导体材料
机译:含铝III-V半导体的选择性氧化:量子阱异质结构激光器和晶体管器件的特性和应用。
机译:Si上In0.18Al0.82N / AlN / GaN MIS-HEMT(金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管)的陡峭开关
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机译:用于光学和微波应用的III-V化合物半导体的研究