机译:具有高k电介质堆栈的pMOS和nMOS短沟道晶体管中的沟道热载流子退化
机译:耐热载流高压nMOS晶体管的设计与优化
机译:具有亚微米源漏扩散长度的0.11μm双栅氧化物CMOS技术可减少NMOS I / O晶体管因热载流子引起的退化
机译:用3D-NAND氢气工艺研究NMOS晶体管的异常热载体降解
机译:片上电路,用于表征先进CMOS技术中的晶体管老化机制。
机译:nMOS晶体管的单个缺陷分布的半自动提取
机译:使用新颖的超线性晶体管,在1 GHz频率下具有并行NMOS和PMOS晶体管,可降低电流AB类无线电接收器级
机译:采用0.25微米全耗尽sOI CmOs工艺制造的晶体管的热载流子可靠性