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【2h】

Suppression of nonradiative recombination process in directly Si-doped InAs/GaAs quantum dots

机译：硅直接掺杂InAs / GaAs量子点中非辐射复合过程的抑制

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作者
Kita Takashi; Hasagawa Ryuichi; Inoue Tomoya;
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年度 2011
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正文语种 eng
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1. Suppression of nonradiative recombination process in directly Si-doped InAs/GaAs quantum dots [J] . Takashi Kita, Ryuichi Hasagawa, Tomoya Inoue Journal of Applied Physics . 2011,第10期

机译：硅直接掺杂InAs / GaAs量子点中非辐射复合过程的抑制
2. Characterization of nonradiative recombination centers in proton-irradiated InAs/GaAs quantum dots by two-wavelength-excited photoluminescence [J] . Haque Md Dulal, Kamata Norihiko, Sato Shin-ichiro, Japanese journal of applied physics . 2018,第9期

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3. Enhanced nonradiative Auger recombination in p-type modulation doped InAs/GaAs quantum dots [J] . Y. D. Jang, T. J. Badcock, D. J. Mowbray, Applied Physicsletters . 2008,第10期

机译：p型调制掺杂InAs / GaAs量子点中增强的非辐射俄歇复合
4. Comparative Study on Nonradiative Recombination Centers in Proton Irradiated InAs/GaAs Quantum Dot Structure by Two Wavelength Excited Photoluminescence [C] . M. D. Haque, N. Kamata, S-I. Sato, IEEE Photovoltaic Specialist Conference . 2017

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5. Exploring Single Hole States in InAs/GaAs Quantum Dots and Quantum Dot Molecules under 2-D Electric Fields [D] . Ma, Xiangyu. 2018

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6. Towards InAs/InGaAs/GaAs Quantum Dot Solar Cells Directly Grown on Si Substrate [O] . Bilel Azeza, Mohamed Helmi Hadj Alouane, Bouraoui Ilahi, 2015

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7. Enhanced Nonradiative Auger Recombination in P-Type Modulation Doped InAs/GaAs Quantum Dots [O] . Jang, Y D, Badcock, T J, Mowbray, D J, 2008

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