机译:载流子在高迁移率MOSFET的源极和漏极中的作用
机译:使用Hf-Si-O-N栅极电介质,多晶硅栅极以及自对准源极和漏极制造的MOSFET中的载流子迁移率
机译:具有二硅化物源极/漏极触点的肖特基势垒MOSFET的多尺度建模:触点在载流子注入中的作用
机译:带有硅碳源/漏应力源的应变体N-MOSFET中增强的载流子传输
机译:具有再生源极-漏极区和ALD介电层的最后栅极铟镓砷MOSFET。
机译:具有位置载流子散射相关性的准弹道漏电流电荷和电容模型对纳米级对称DG MOSFET有效
机译:用于减少短通道和热载体效应的电诱导源/漏电区SOI MOSFET的设计考虑因素