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Comparisons of Performance Potentials of Si and InAs Nanowire MOSFETs Under Ballistic Transport

机译：Si和InAs纳米线MOSFET在弹道传输下的性能潜能比较

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作者
Takiguchi Naoya; Koba Shunsuke; Tsuchiya Hideaki; Ogawa Matsuto;
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年度 2012
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原文格式 PDF
正文语种 eng
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1. Comparisons of Performance Potentials of Si and InAs Nanowire MOSFETs Under Ballistic Transport [J] . Takiguchi N., Koba S., Tsuchiya H., Electron Devices, IEEE Transactions on . 2012,第1期

机译：Si和InAs纳米线MOSFET在弹道传输下的性能潜能比较
2. Orientational Dependence in Device Performances of InAs and Si Nanowire MOSFETs Under Ballistic Transport [J] . Shimoida K., Yamada Y., Tsuchiya H., Electron Devices, IEEE Transactions on . 2013,第1期

机译：弹道传输下InAs和Si纳米线MOSFET器件性能的方向依赖性
3. Performance Comparison of InAs, InSb, and GaSb n-Channel Nanowire Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors in the Ballistic Transport Limit [J] . Kenta Shimoida, Hideaki Tsuchiya, Yoshinari Kamakura, _Applied Physics Express . 2013,第3期

机译：InAs，InSb和GaSb N沟道纳米线金属氧化物半导体场效应晶体管在弹道输运极限中的性能比较
4. Analytical model of drain current in nanowire MOSFETs including quantum confinement, band structure effects and quasi-ballistic transport: device to circuit performances analysis [C] . Dura J., Martinie S., Munteanu D., 2011 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices . 2011

机译：纳米线MOSFET中漏极电流的分析模型，包括量子约束，能带结构效应和准弹道传输：器件到电路性能分析
5. Strain effects in long to short channel mosfets: From drift-diffusion to quasi-ballistic transport [D] . Parthasarathy, Srivatsan. 2012

机译：在长到短通道MOSFET的应变效应：从漂移扩散到准弹道运输
6. Cryogenic Transport Characteristics of P-Type Gate-All-Around Silicon Nanowire MOSFETs [O] . Jie Gu, Qingzhu Zhang, Zhenhua Wu, 2021

机译：P型门 - 全面硅纳米线MOSFET的低温传输特性
7. Comparisons of Performance Potentials of Silicon Nanowire and Graphene Nanoribbon MOSFETs Considering First-Principles Bandstructure Effects [O] . Tsuchiya Hideaki, Ando Haruki, Sawamoto Shun, 2010

机译：考虑第一性原理带结构效应的硅纳米线和石墨烯纳米带MOSFET的性能潜力比较

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