首页> 外文OA文献 >Facility for fast neutron irradiation tests of electronics at the ISIS spallation neutron source
【2h】

Facility for fast neutron irradiation tests of electronics at the ISIS spallation neutron source

机译:在ISIS散裂中子源处对电子设备进行快速中子辐照测试的设施

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

摘要

The VESUVIO beam line at the ISIS spallation neutron source was set up for neutron irradiationudtests in the neutron energy range above 10 MeV. The neutron flux and energy spectrum were shown,udin benchmark activation measurements, to provide a neutron spectrum similar to the ambient one atudsea level, but with an enhancement in intensity of a factor of 107. Such conditions are suitable forudaccelerated testing of electronic components, as was demonstrated here by measurements of softuderror rates in recent technology field programable gate arrays.
机译:在ISIS散裂中子源处建立了VESUVIO光束线,用于在10 MeV以上的中子能量范围内进行中子辐照/测试。在 udin基准激活测量中显示了中子通量和能谱,以提供与周围一个水平/ udsea水平相似的中子谱,但强度增加了107倍。此类条件适用于减速的测试电子元件的数量,如最近技术现场可编程门阵列中软错误率的测量所证明。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号