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【2h】

La0.8Sr0.2Ga0.8Mg0.2O3-δ thin films for IT-SOFCs: Microstructure and transport properties correlation.

机译:用于IT-SOFC的La0.8Sr0.2Ga0.8Mg0.2O3-δ薄膜:微观结构与传输特性的相关性。

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摘要

Highly textured La0.8Sr0.2Ga0.8Mg0.2O3 (LSGM) films with columnar structure were grown by pulsed laseruddeposition on (001) NdGaO3 and SrTiO3 buffered (001) MgO substrates. Combined analysis of the filmsudstructure and morphology and EIS measurements showed that the transport properties are mainlyudlimited by perpendicular grain boundaries effects. Increasing the film thickness, columnar nanosizedudgrains tend to coalesce leading to a decrease of grain boundary concentration, hence to enhancedudconductivity.
机译:通过脉冲激光沉积在(001)NdGaO3和SrTiO3缓冲(001)MgO衬底上生长具有柱状结构的高织构La0.8Sr0.2Ga0.8Mg0.2O3(LSGM)膜。对薄膜的组织,形态和EIS测量结果的综合分析表明,传输性能主要受垂直晶界效应的限制。增大膜厚,圆柱状纳米 udgrains趋于合并,导致晶界浓度降低,从而提高 udconductivity。

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