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Studio e realizzazione di micro-dispositivi elettro-acustici a film sottile e loro applicazione nel campo dei sensori chimici di nuova generazione

机译:薄膜电声微器件的研究与实现及其在新一代化学传感器领域的应用

摘要

In questo lavoro si propone l'impiego di risonatori ad onde acustiche di volume per la realizzazione di sensori chimici a microbilancia, operanti a frequenze dell’ordine dei GHz, realizzati con le tecnologie dei film sottili; questo tipo di dispositivi sono detti risonatori ad onde acustiche di volume a film sottile (TFBAR - thin film bulk acoustic wave resonator). Questo approccio permette di ottenere dispositivi miniaturizzati, integrabili, con buone prestazioni ed a basso costo. Il film piezoelettrico utilizzato è il Nitruro di Alluminio (AlN), scelto per le sue buone caratteristiche acustiche ed l’ ottima compatibilità con i processi tecnologici.udIn una prima parte vengono esposti i principi fisici che sono alla base del fenomeno della propagazione acustica, dando particolare spazio ai mezzi di propagazione con caratteristiche piezoelettriche. Si arriva infine alla descrizione delle strutture risonanti mediante il circuito equivalente di Mason ed il modello di ButterworthVan Dike (BVD).udIn relazione a questo si andrà ad utilizzare il circuito equivalente, per poter effettuare le simulazioni del comportamento del dispositivo, analizzando diversi casi di interesse. udTramite l’utilizzo di una routine in Matlab sono stati ottenuti gli andamenti dell'impedenza e dell’ammettenza elettrica equivalente del dispositivo, e quindi le frequenze di risonanza e le relazioni che le legano allo spessore dei diversi materiali. udOltre a questo tipo di simulazione sono state effettuate ulteriori analisi tramite il metodo degli elementi finiti (FEM), che ha dato la possibilità di aprire la strada ad un’indagine più approfondita dei parametri che caratterizzano i dispositivi studiati, approssimando sempre più il comportamento reale del dispositivo, cercando di valutare adeguatamente le perdite meccaniche. udSuccessivamente vengono esposte le problematiche e le motivazioni che hanno portato alla scelta della configurazione del dispositivo proposto, la quale sarà descritta in dettaglio insieme ai vantaggi che hanno condizionato tale scelta.udSegue una descrizione accurata delle problematiche affrontate e delle singole fasi del processo di fabbricazione, con particolare attenzione alla crescita del materiale piezoelettrico, con un elevato grado di orientazione cristallina.udNell’ultima parte, dopo una breve trattazione del meccanismo dell’adsorbimento chimico, vengono illustrate le modalità con cui i dispositivi elettro-acustici fabbricati sono stati trasformati in sensori di gas e vapori (H2, CO, Etanolo ecc.), utilizzando interfacce chimicamente interattive (chemical interactive material - CIM) come Palladio, Metallo-porfirine e Nanotubi di Carbonio. Sono dunque riportate le misure effettuate, i risultati ottenuti e le curve di calibrazione calcolate per i sensori realizzati.udInfine viene proposto un nuovo progetto per la realizzazione di questo tipo di dispositivi, che si avvale di una tecnica superficiale (surface micromachining) che permette di semplificare alcuni passaggi tecnologici, ottimizzare i tempi di realizzazione, migliorare le prestazioni aumentando, inoltre, anche le frequenze di funzionamento.
机译:这项工作建议使用体声波谐振器来构造由薄膜技术制成的,工作在GHz级频率的微量天平化学传感器。这种类型的设备称为薄膜体声波谐振器(TFBAR)。这种方法允许以高性能和低成本获得小型化,可集成的设备。使用的压电膜是氮化铝(AlN),其选择是因为其良好的声学特性和与工艺过程的出色兼容性。 Ud在第一部分中,暴露了构成声传播现象基础的物理原理,给具有压电特性的传播装置留出特殊的空间。最后,通过梅森等效电路和ButterworthVan Dike(BVD)模型获得谐振结构的描述 Ud为此,将使用等效电路,以便能够模拟设备的行为并分析不同的情况出于兴趣。通过在Matlab中使用例程,可以得出设备的阻抗和等效电导率的趋势,从而获得谐振频率以及将其绑定到不同材料厚度的关系。 ud除了这种类型的仿真之外,还使用有限元方法(FEM)进行了进一步的分析,这为进一步深入研究表征所研究设备的参数开辟了道路,并逐渐逼近了行为。真实的设备,试图充分评估机械损耗。因此,将揭示导致选择所建议的设备配置的问题和动机,并将详细描述影响选择的设备的优点。ud对所面临的问题和过程的各个阶段进行了准确的描述。在最后一部分中,在对化学吸附机理进行了简要讨论之后,对制造电声器件的方式进行了说明。使用钯,金属卟啉和碳纳米管等化学交互界面(化学交互材料-CIM)将其转变为气体和蒸汽传感器(H2,CO,乙醇等)。最后,为实现这种类型的设备提出了一个新的项目,该项目采用了表面微加工技术,可以实现这种测量。以简化某些技术步骤,优化生产时间,提高性能以及增加工作频率。

著录项

  • 作者

    Cannatà Domenico;

  • 作者单位
  • 年度 2009
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 ita
  • 中图分类

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