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【2h】

Characterization of ESD protection structures for 65 nm CMOS technology

机译：用于65 nm CMOS技术的ESD保护结构的特性

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作者
Di Biccari Leonardo;
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年度 2010
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原文格式 PDF
正文语种 {"code":"en","name":"English","id":9}
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1. Design of Compact ESD Protection Circuit for V-Band RF Applications in a 65-nm CMOS Technology [J] . Lin C.-Y., Chu L.-W., Tsai S.-Y., Device and Materials Reliability, IEEE Transactions on . 2012,第3期

机译：采用65nm CMOS技术的V波段RF应用的紧凑型ESD保护电路设计
2. Time-To-Latch-Up investigation of SCR devices as ESD protection structures on 65 nm technology platform [J] . A. Tazzoli, M. Cordoni, P. Colombo, Microelectronics & Reliability . 2010,第9a11期

机译：在65 nm技术平台上对SCR器件作为ESD保护结构的闩锁时间进行了调查
3. ESD Protection Design for I/O Cells With Embedded SCR Structure as Power-Rail ESD Clamp Device in Nanoscale CMOS Technology [J] . Ming-Dou Ker, Kun-Hsien Lin IEEE Journal of Solid-State Circuits . 2005,第11期

机译：纳米CMOS技术中具有嵌入式SCR结构作为电源轨ESD钳位设备的I / O单元的ESD保护设计
4. Analysis of ESD protection components in 65nm CMOS technology: Scaling perspective and impact on ESD design window [C] . Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium . 2005

机译：65NM CMOS技术中ESD保护组件分析：缩放视角和影响ESD设计窗口的影响
5. Design and ESD protection of wideband, radio frequency integrated circuits in CMOS technologies. [D] . Bhatia, Karan Singh. 2008

机译：CMOS技术中的宽带射频集成电路的设计和ESD保护。
6. CMOS-NEMS Copper Switches Monolithically Integrated Using a 65 nm CMOS Technology [O] . Jose Luis Muñoz-Gamarra, Arantxa Uranga, Nuria Barniol 2016

机译：使用65 nm CMOS技术单片集成的CMOS-NEMS铜开关
7. ESD Protection Design for I/O Cells in Sub-130-nm CMOS Technology with Embedded SCR Structure [O] . Kun-hsien Lin, Ming-dou Ker 2015

机译：具有嵌入式sCR结构的亚130nm CmOs技术中I / O单元的EsD保护设计

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