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Analisi dei fenomeni di intrappolamento su dispositivi HEMT su GaN con diverso profilo di Fe-doping nel buffer

机译：缓冲液中不同Fe掺杂分布的GaN HEMT器件上的俘获现象分析

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作者
Torresan Federico;
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年度 2012
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原文格式 PDF
正文语种 {"code":"it","name":"Italian","id":21}
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