机译:纳米域开关和非180°域在增强高度(100)取向的Pb(Zr0.60Ti0.40)O3薄膜的局部压电响应中的作用
机译:无约束的Pb(Zr,Ti)O3微管和薄膜中的铁电和铁弹性畴壁运动
机译:多层PbTiO3 / PbZr0.3Ti0.7O3 / PbTiO3薄膜的侧壁和表面畴结构的纳米尺度研究
机译:通过使用压电响应力显微镜获得的PBZR1-Xtixo3薄膜铁电域的光导效应
机译:晶体缺陷对薄膜Pb(Zr,Ti)O3中畴壁运动的影响。
机译:Pb(Zr0.20Ti0.80)O3外延薄膜中的畴壁运动
机译:外延铁电体pbZr0.2Ti0.8O3薄壁的畴壁粗糙度 影片
机译:a-sITE-aND /或B-sITE-mODIFIED pBZRTIO3材料和(pB,sR,Ca,Ba,mG)(ZR,TI,NB,Ta)O3薄膜,具有铁电随机存取存储器和高性能薄膜微处理器的实用性