机译:多晶GaAs和GaP分解源分子束外延生长InGaAs / InP双量子阱的光学和结构性质
机译:衬底取向错误对(111)B GaAs分子束外延生长InGaAs / GaAs单应变量子阱的光学和结构性质的影响
机译:InAs / GaAs和GaP / GaAs异质结构和应变层状超晶格通过原子层外延生长机理的比较研究
机译:InGaAs / GaAs / Ingap应变层 - 气源分子束外延生长的 - 孔激光器
机译:InAs / GaAs短周期应变层超晶格的分子束外延生长。
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:原子层分子束外延生长的交替应变(GaAs)n(GaP)m(GaAs)n(InP)m超晶格的高分辨率电子显微镜和X射线衍射表征。
机译:分子束外延生长在Gaas衬底上的(Inas)m(Gaas)n短周期超晶格层的研究