机译:外延剥离工艺的固有横向蚀刻速率的多层剥离层研究
机译:外延SCN(001)生长并由XPS和UPS原位分析。 II。 AR〜+溅射蚀刻层的分析
机译:外延锡(001)通过XPS和UPS原位分析并分析。 II。 AR〜+溅射蚀刻层的分析
机译:TEM和AFM研究选择性腐蚀的Si样品以确定与n〜+ -P结相关的2-D掺杂剂分布
机译:二氧化碳在气体膨胀液体中的作用,用于去除光刻胶和蚀刻残留物
机译:外延成分对ICP-OES测定的N面GaN KOH蚀刻动力学的影响
机译:减少外延gan层中的位错密度,从而增加了与缺陷相关的刻蚀坑的过度生长
机译:沿si上的斜面蚀刻Gaas的拉曼散射光谱,TEm(透射电子显微镜)研究和si上的Gaas p-I-N光电探测器