The Study on the Stability Characteristics of All Solution Process Low Driving Voltage Indium Zinc Oxide Compound Transistors

摘要

[[abstract]]本計畫包含了金屬氧化物電晶體(Oxide TFT)的製程、量測與分析，計畫内容以全 溶液式低驅動電壓氣化鋅銦化合物電晶體之穩定性研究為主，降低製程溫度為輔。過去 全溶液製程之氧化電晶體與真空製程之結果相較，有元件特性較差、穩定度不高等問 題。但隨著製程方式與新材料的發展，載子遷移率與穩定度皆有大幅提升。本計畫著重 之重點在於，壓低驅動電壓、提升穩定度與降低製程溫度。茲將其歸納如下項目，（1) 降低驅動電壓，採用溶液式高介電材質，此材料的選擇必須具有高緻密度，製程溫度不 可過高，絕緣性質好，與氧化物匹配等特點，目前鎖定的有氧化釔與氧化鋯等，搭配其 他材質使用堆疊增加其阻抗。(2)摻雜不同氧化電位之金屬離子，穩定氧化鋅化合物中 的氧比例，提升元件之穩定度。（3)採用不同的溶液系統，與不同的製程方式，降低製 程溫度，例如以霧狀喷灑搭配回火，降低至250°C將不是問題，要考慮的是降低製程溫 度後元件的穩定性問題。