Study on Built-In Self-Repair for Hybrid Memory Cubes

摘要

[[abstract]]隨著消費者的需求與多元電子科技的快速整合，智慧電子已成為全球關注的焦點，也是國家未來十年的重點計畫；而由於適應規格日益嚴格、要求速度與容量日漸提昇，積體電路在高速、低功與縮小化的需求下，三維(3D)晶片自然成為發展的主軸。其中，記憶體非僅是3C電子、車用電子的主體之一，也是多數生醫電子不可或缺的單元，尤其是其需求容量常隨著智慧與資料等級激增。最近，混合式記憶體立方體(Hybrid Memory Cube, HMC)，其省電效率與傳輸速度將使其成為記憶體設計的新模式。本計畫之目的在於有系統地探討與評估提昇混合式記憶體立方體等效良率之技術。本計畫之目的有二：其一在於有系統地探討與評估提昇記憶體等效良率之技術；其二在於提出TSV自我修復的方法。本研究團隊於近年研究計畫已發展出低成本高可靠的修復與容錯技術，最近研究的腹案，對TSV的冗餘分析也有突破的發展，希望提出此計畫，對國家工業有所貢獻。包含腹案已產出之一篇SCI論文外，本計畫預計能再衍生兩篇以上的SCI論文；更希望對於本土智慧電子產品、可攜式消費性電子產品與高速、高密度晶片的量測技術有即時的幫助；尤其如獲相關產業的合作與技轉，將對國內記憶體產業有提昇產能的直接幫助。