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【2h】

Towards understanding intrinsic degradation and breakdown mechanism of a SiOCH low-k dielectric

机译：理解SiOCH低k介电质的固有降解和击穿机理

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作者
Wu Chen; Li Yunlong; Ciofi Ivan; Kauerauf Thomas; Boemmels Juergen; De Wolf Ingrid; Tokei Zsolt; Croes Kristof;
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作者单位

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年度 2015
总页数
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1. Towards understanding intrinsic degradation and breakdown mechanisms in SiOCH low-k dielectrics [J] . C. Wu, Y. Li, I. Ciofi, Journal of Applied Physics . 2015,第6期

机译：理解SiOCH低k介电质的内在降解和击穿机理
2. Characterization of low-k SiOCH dielectric for 45 nm technology and link between the dominant leakage path and the breakdown localization [J] . M. Vilmay, D. Roy, F. Volpi, Microelectronic Engineering . 2008,第10期

机译：用于45 nm技术的低k SiOCH电介质的表征以及主要泄漏路径与击穿位置之间的联系
3. Correlation between stress-induced leakage current and dielectric degradation in ultra-porous SiOCH low-k materials [J] . C. Wu, Y. Li, A. Lesniewska, Journal of Applied Physics . 2015,第16期

机译：超孔SiOCH低k材料中应力引起的泄漏电流与介电性能的相关性
4. Towards the understanding of intrinsic degradation and breakdown mechanisms of a SiOCH low-k dielectric [C] . Wu C., Li Y., Barbarin Y., International Reliability Physics Symposium . 2014

机译：理解SiOCH低k介质的固有降解和击穿机理
5. The Effects of Processing Induced Damage on Electrical Conduction Mechanisms and Time-Dependent Dielectric Breakdown of Low-k Organosilicates. [D] . Nichols, Michael Thomas. 2013

机译：加工引起的损伤对低k有机硅酸盐的导电机理和时间依赖性介电击穿的影响。
6. Time Dependent Dielectric Breakdown in Copper Low-k Interconnects: Mechanisms and Reliability Models [O] . Terence K.S. Wong 2012

机译：铜低k互连中随时间变化的介电击穿：机理和可靠性模型
7. Correlation between stress-induced leakage current and dielectric degradation in ultra-porous SiOCH low-k materials [O] . Wu Chen, Li Yunlong, Lesniewska Alicja, 2015

机译：超孔SiOCH低k材料中应力引起的泄漏电流与介电性能的相关性

Towards understanding intrinsic degradation and breakdown mechanism of a SiOCH low-k dielectric

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