Experimentele studie en optimalisatie van scanning capacitance microscopy voor tweedimensionale ladingdragers profilering van submikron halfgeleider structuren.

摘要

Aangezien huidige halfgeleiderstructuren evolueren naar steeds kleinere en meer complexe configuraties, is de nood heel hoog voor meettechnieken met de mogelijkheid om de tweedimensionale doperingsverdeling binnen de ze structuren met hoge resolutie op te meten. Een krachtige meettechniek hiervoor is Scanning Capacitance Microscopy (SCM). Om te voldoen aan de vooropgestelde eisen van de International Technology Roadmap for Semico nductors (ITRS), is de optimalisatie van SCM een heel belangrijk studiep unt. Dit betekent niet alleen een verbetering van de ruimtelijke resolut ie, maar ook de mogelijheid om de onderliggende doperingsconcentraties m et grote precisie te bepalen. Dit onderzoekswerk is gericht op de experimentele studie van verschillen de aspecten van SCM zoals oppervlakte-eigenschappen, monstervoorbereidin g, tipoptimalisatie, junctiepositiebepaling,. . . alsook de ontwikkeling en van de nodig inzichten in de onderliggende fysica van deze aspecten. Gebaseerd op deze observaties werden enkele belangrijke optimalisaties v an de techniek bereikt. Deze resultaten zijn ook gedemonstreerd op enkel e uitgebreide gevalsanalyses zoals power devices en verschillende CMOS t echnologieen. Er werd ook een vergelijking uitgevoerd tussen SCM en enke le andere veelbelovende doperingsprofileringstechnieken.