机译:在等离子体清洗多孔低k SiOCH的过程中,自由基和光子会造成损坏。 I. Ar / O2和He / H2等离子体
机译:在等离子体清洗多孔低k SiOCH的过程中,自由基和光子会造成损坏。二。吸水率和介电常数的变化
机译:有效的铜表面预处理,用于具有高耐等离子体性的超低介电常数(k = 2.2)的高可靠性22 nm节点铜双镶嵌互连
机译:等离子粉尘和湿清洁剂对多孔LOW-K的影响,可实现多级CU / LOW-K互连
机译:等离子体与低k电介质的相互作用:基本破坏和保护机制。
机译:用于进一步缩小超大型集成器件-Cu互连的等离子增强化学气相沉积SiCH膜的低k覆盖层的材料设计
机译:He和NH3等离子体联合处理可降低低k膜的损伤和密封