机译:具有17.4 dBm输出功率和16.3%PAE的60 GHz SiGe:C HBT功率放大器
机译:一个60 GHz功率放大器,P-sat为13.1 dBm,PAE为11%,在60 nm短距离通信系统的90 nm CMOS中具有出色的匹配性
机译:采用40nm CMOS的60GHz双模AB类功率放大器
机译:60 GHz双模功率放大器,在40 nm CMOS中具有17.4 dBm输出功率和29.3%PAE
机译:使用SiC HEMT器件上的GaN的3.6 GHz Doherty功率放大器,其饱和输出功率为40 dBm。
机译:具有锁模结构的2.4 GHz CMOS功率放大器可增强增益
机译:一个5 GHz E3F2类功率放大器,在65nm CMOS上具有51%的PAE和21dBm的输出功率
机译:18 GHz,10.9 dBm全集成功率放大器,130 nm CmOs中具有23.5%paE