首页> 外文OA文献 >Determining bound states in a semiconductor device with contacts using a nonlinear eigenvalue solver
【2h】

Determining bound states in a semiconductor device with contacts using a nonlinear eigenvalue solver

机译:使用非线性特征值求解器确定具有触点的半导体器件中的束缚态

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。
获取外文期刊封面目录资料

摘要

We present a nonlinear eigenvalue solver enabling the calculation of bound solutions of the Schrödinger equation in a system with contacts. We discuss how the imposition of contacts leads to a nonlinear eigenvalue problem and discuss the numerics for a one- and two-dimensional potential. We reformulate the problem so that the eigenvalue problem can be efficiently solved by the recently proposal rational Krylov method for nonlinear eigenvalue problems, known as NLEIGS. In order to improve the convergence of the method, we propose a holomorphic extension such that we can easily deal with the branch points introduced by a square root. We use our method to determine the bound states of the one-dimensional Pöschl–Teller potential, a two-dimensional potential describing a particle in a canyon and the multi-band Hamiltonian of a topological insulator.
机译:我们提出了一种非线性特征值求解器,能够计算带接触系统中薛定the方程的有界解。我们讨论强加接触如何导致非线性特征值问题,并讨论一维和二维势的数值。我们对问题进行重新表述,以便通过最近提出的针对非线性特征值问题的有理Krylov方法(称为NLEIGS)可以有效地解决特征值问题。为了提高该方法的收敛性,我们提出了一个全同性扩展,以便我们可以轻松地处理平方根引入的分支点。我们使用我们的方法来确定一维Pöschl–Teller势,二维势来描述峡谷中的粒子和拓扑绝缘体的多频带哈密顿量的束缚态。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号