机译:模拟工艺,电源电压和温度变化对纳米数字电路时序响应的影响
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机译:409 GOPS / W自适应和弹性Domino寄存器文件,采用22 nm Tri-Gate CMOS,具有原位时序裕量和检错功能,可容忍芯片内变化,电压降,温度和老化
机译:用于动态电压,温度和老化变化公差的可调复制电路和自适应电压频率技术
机译:电压和时序自适应,以适应纳米级VLSI电路的变化和老化容限。
机译:用纳米重建3D纳米中的神经回路
机译:静态电压过度缩放和动态电压变化公差,可重新配置设备中的副本电路和时间冗余