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【2h】

Atomic layer deposition for spacer defined double patterning of sub-10 nm titanium dioxide features

机译：用于间隔物的原子层沉积定义了亚10 NM二氧化钛特征的双图案化

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作者
Stefano Dallorto; Daniel Staaks; Adam Schwartzberg; XiaoMin Yang; Kim Y Lee; Ivo W Rangelow; Stefano Cabrini; Deirdre L Olynick;
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年度 2018
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1. Atomic layer deposition for spacer defined double patterning of sub-10 nm titanium dioxide features [J] . Dallorto Stefano, Staaks Daniel, Schwartzberg Adam, Nanotechnology . 2018,第40期

机译：用于间隔物的原子层沉积定义了亚10 NM二氧化钛特征的双图案化
2. Ultrahigh density sub-10 nm TiO2 nanosheet arrays with high aspect ratios via the spacer-defined double-patterning process [J] . Bak Chang Hong, Ku Se Jin, Jo Gyeong Cheon, Polymer: The International Journal for the Science and Technology of Polymers . 2015,第Null期

机译：通过间隔物定义的双图案化工艺，具有高纵横比的超高密度亚10纳米TiO2纳米片阵列
3. Obtaining nanoimprint template gratings with 10 nm half-pitch by atomic layer deposition enabled spacer double patterning [J] . Dhuey S., Peroz C., Olynick D., Nanotechnology . 2013,第10期

机译：通过原子层沉积获得具有10 nm半间距的纳米压印模板光栅，可进行间隔物双重图案化
4. Area selective atomic layer deposition: Use of lithographically defined polymer masking layers for the deposition of titanium dioxide [C] . Ashwini Sinha, Dennis W. Hess, Clifford L. Henderson Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1 . 2005

机译：区域选择性原子层沉积：使用光刻定义的聚合物掩膜层沉积二氧化钛
5. Atomic layer deposition of titanium dioxide on silicon and gallium arsenate substrates using tetrakis-dimethylamido titanium and water precursors. [D] . Lacis, John W. 2009

机译：使用四-二甲基酰胺基钛和水前体在硅和砷化镓衬底上沉积二氧化钛的原子层。
6. Wafer-Scale Fabrication of Sub-10 nm TiO2-Ga2O3n-p Heterojunctions with Efficient Photocatalytic Activity by Atomic Layer Deposition [O] . Hongyan Xu, Feng Han, Chengkai Xia, 2019

机译：原子层沉积法高效制备具有光催化活性的亚10 nm TiO2-Ga2O3n-p异质结的晶圆级制备
7. Sub-10 nm Thick Microporous Membranes Made by Plasma-Defined Atomic Layer Deposition of a Bridged Silsesquioxane Precursor [O] . -1

机译：通过等离子体定义的Silsesquio烷前体沉积亚10 NM厚的微孔膜。

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