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Publisher’s Note: “3 GHz RF measurements of AlGaN/GaN transistors transferred from silicon substrates onto single crystalline diamond” AIP Adv. 9, 125106 (2019)

机译：出版商注：“3 GHz RF测量从硅基板转移到单晶金刚石上的AlGaN / GaN晶体管”AIP ADV。 9,125106（2019）

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Thomas Gerrer; Heiko Czap; Thomas Maier; Fouad Benkhelifa; Stefan Müller; Christoph E. Nebel; Patrick Waltereit; Rüdiger Quay; Volker Cimalla;
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年度 2020
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1. Publisher’s Note: “3 GHz RF measurements of AlGaN/GaN transistors transferred from silicon substrates onto single crystalline diamond” [AIP Adv. 9, 125106 (2019)] [J] . Thomas Gerrer, Heiko Czap, Thomas Maier, AIP Advances . 2020,第2期

机译：出版商注：“3 GHz RF测量从硅基板转移到单晶金刚石上的AlGaN / GaN晶体管”[AIP ADV。 9,125106（2019）]
2. 3 GHz RF measurements of AlGaN/GaN transistors transferred from silicon substrates onto single crystalline diamond [J] . Thomas Gerrer, Heiko Czap, Thomas Maier, AIP Advances . 2019,第12期

机译：3 GHz RF测量AlGaN / GaN晶体管从硅基板转移到单晶金刚石上
3. Publisher’s Note: “Trap behaviours characterization of AlGaN/GaN high electron mobility transistors by room-temperature transient capacitance measurement” [AIP Advances 6, 095021 (2016)] [J] . Bin Dong, Jie Lin, Ning Wang, AIP Advances . 2016,第10期

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