机译:图3:在2014年在两种杂种(N)应用率下的两个杂种品种的0-20cm(a),20-40cm(b)和40-60cm(c)土层中的玉米的根系干重和2015年。
机译:推荐的乙炔线列表在20-240cm
机译:密度冷等离子体中4471 A He(I)谱线形状的鲜明形成(1.0 x 10〜(17)cm〜(-3)
机译:Co $ _ {40} $ Fe $ _ {40} $ B $ _ {20} $ / MgO / Co $ _ {20} $ Fe $ _ {60} $ B $ _ {的层间交换耦合和垂直磁各向异性20} $隧道结结构
机译:采用40nm CMOS的20Gb / s NRZ / PAM-4 1V发射机,可驱动0.13µm CMOS的硅光子调制器
机译:互补的EDMOS晶体管以标准的0.35μmCMOS技术集成在40V应用中。
机译:氮素施用量低的夏玉米高产杂交品种的枝根性状。
机译:图4:在0 -10,10-20和20-40厘米的土壤层和SOC股中,平均土壤有机碳(SoC)(A)和总氮(TN)(B)含量(G kg-1)和SoC股(Mg HA-1)(C)和TN股(Mg HA-1)在2013年在三种不同植物物种下0-40厘米(d)。
机译:美国宇航局艾姆斯研究中心20厘米X 40厘米振荡流风洞的性能测试