机译:第一个原理和电子结构的60∘Perfect和30°/90∘PartialGlide脱位在CDTE中的原子学和电子结构研究
机译:CdTe中60°完美和30°/ 90°部分滑移位错的原子和电子结构的第一性原理研究
机译:CdTe中60度完美和30度/ 90度部分滑移位错的原子和电子结构的第一性原理研究
机译:通过第一性原理计算研究了太阳能吸收体材料CulnSe_2和CuGaSe_2中位错的原子和电子结构
机译:钻石立方半导体中的滑动设置90°部分位错芯的结构
机译:通过位错trans变和滑行孪生产生的调节作用在HCP结构中硬化的机理:应用于镁。
机译:CdTe双晶界面Lomer位错的原子和电子结构
机译:CDTE双裂缝界面的液体脱位原子和电子结构