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【2h】

Selective Gas-Phase Functionalization of SiO2 and SiNx Surfaces with Hydrocarbons

机译：用碳氢化合物SiO2和Sinx表面的选择性气相官能化

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机译：发行人注：“ n-型c-Si晶片的表面钝化是通过a-Si / SiO2 / SiNx叠层进行的，表面有效复合速度小于1 cm / s”。物理来吧103，183903（2013）]
2. Surface passivation of n-type c-Si wafers by a-Si/SiO2/SiNx stack with <1 cm/s effective surface recombination velocity [J] . Herasimenka Stanislau Y., Tracy Clarence J., Sharma Vivek, Applied Physics Letters . 2013,第18期

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