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【2h】

The impurity and phase composition of surfaces of semiconductors of the typeАIIIВV — materials for gas sensors

机译：气体传感器型型Ⅱ型型材的半导体表面的杂质和相位组成

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I. A. Kirovskaya; A. V. Yureva; P. E. Nor; R. V. Ekkert; L. V. Kolesnikov; Yu. I. Matyash; S. A. Korneyev;
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年度 2018
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1. A Comparison Of Liquid And Gas Phase Surface Preparation Of Iii-v Compound Semiconductors For Atomic Layer Deposition [J] . F.L. Lie, W. Rachmady, A.J. Muscat Microelectronic Engineering . 2009,第2期

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2. Pyrolysis Effect of Group V Vapor Sources on the Composition Ranges for Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy Growth of III-V Semiconductors [J] . Changrong Li, Fuming Wang, Weijing Zhang Journal of Phase Equilibria and Diffusion . 2004,第1期

机译：V族蒸气源对III-V族半导体金属有机气相外延生长组成范围的热解效应
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4. The surface activity forecast implementation of the semiconductor materials ZnTe (A~IIIB~V) and ZnTe (A~IIB~IV) for the gas analysis [C] . Kirovskaya I.A., Novgorodtseva L.V., Kosarev B.A. International Conferences on Oil and Gas Engineering . 2016

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5. Surface and interface structure formation in III-V compound semiconductors grown by metal-organic vapor phase epitaxy. [D] . Li, Jiang. 1998

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7. The Surface Activity Forecast Implementation of the Semiconductor Materials ZnTe (AIIIBV) and ZnTe (AIIBIV) for the Gas Analysis [O] . Kirovskaya I.A., Novgorodtseva L.V., Kosarev B.A., 2016

机译：用于气体分析的半导体材料ZnTe（AIIIBV）和ZnTe（AIIBIV）的表面活性预测实施

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