机译:p通道隧道场效应晶体管的性能可以和n通道一样好吗?
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机译:用于N沟道MOS2和P沟道MOTE_(2)场效应晶体管的可逆和可控阈值电压调制通过多次计数器掺杂与ODTS / poly-l赖氨酸电荷增强剂
机译:用于P沟道和N沟道有机场效应晶体管的二乙炔基芳基衍生物
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:基于再生和注入方法的N沟道GaN金属氧化物半导体场效应晶体管的制作和评估
机译:si上制备的弛锗 - 锡p沟道隧道场效应晶体管:sn成分和单轴拉伸应变的影响
机译:在蓝宝石上的500 a薄膜硅中制造具有0.2微米栅极长度的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。 (重新公布新的可用性信息)