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【2h】

Investigation of defects and surface polarity in AlN and GaN using wet chemical etching technique

机译：湿化学蚀刻技术研究AlN和GaN中的缺陷和表面极性

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Yoon Pyo Hong; Jae Hwa Park; Cheol Woo Park; Hyun Mi Kim; Dong Keun Oh; Bong Geun Choi; Seong Kuk Lee; Kwang Bo Shim;
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年度 2014
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1. Investigation of dislocations and defects in epitaxial lateral overgrown GaN by photoelectrochemical wet etching [J] . F. Wang, R. Zhang, X.Q. Xiu, Materials Letters . 2003,第8期

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2. KOH based selective wet chemical etching of AlN,Al_xGa_(1-x)N,and GaN crystals: A way towards substrate removal in deep ultraviolet-light emitting diode [J] . W. Guo, R. Kirste, I. Bryan, Applied Physics Letters . 2015,第8期

机译：基于KOH的AlN，Al_xGa_（1-x）N和GaN晶体的选择性湿化学刻蚀：深紫外发光二极管中衬底去除的一种方法
3. Polarity of epitaxial layers and ((1)over-bar-2(1)over-bar-0) prismatic defects in GaN and AlN grown on the (0001)(Si) surface of 6H-SiC [J] . Vermaut P, Ruterana P, Nouet G Philosophical Magazine, A. Physics of condensed matter, defects and mechanical properties . 1997,第6期

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4. A Chemical Perspective of GaN Polarity: The use of Hydrogen Plasma Dry Etching Versus NaOH Wet Etching to Determine Polarity [C] . Maria Losurdo, MariaMichela Giangregorio, Pio Capezzuto, Symposium on Materials and Devices for Optoelectronics and Microphotonics, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California . 2002

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5. Novel surface cleaning technique with chemical etching for ideal hydrogen termination: Surface chemistry and morphology of the silcon(111) and silicon(100) surfaces. [D] . Yang, Sung-Kwang. 1993

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7. Study of GaN-based light emitting diodes grown on chemical wet etching-patterned sapphire substrate with V-shaped pits roughening surfaces [O] . Ya-ju Lee, Hao-chung Kuo, Senior Member, 2008

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