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机译:长寿命,转移的晶体碳化硅纳米爆炸,用于植入柔性电子
机译:长寿命转移的晶体碳化物纳米爆炸,用于植入柔性电子器件
机译:通过埋地微型沟渠的柔性单晶4H-碳化碳化锰纳米锰的高产量制备
机译:使用可转移硅纳米膜的快速柔性电子产品
机译:柔性晶体硅纳米膜光子晶体微腔的弯曲行为
机译:转移印刷晶体纳米膜,用于多功能电子应用
机译:具有应变硅纳米膜的快速柔性电子产品
机译:薄,转移的二氧化硅层和氮化硅作为用于可植入柔性电子系统的水和离子屏障
机译:大面积Inp基结晶纳米膜柔性光电探测器
机译:在硅晶片中生产部分单晶的碳化硅层的步骤包括:准备硅晶片;通过离子注入将碳离子注入到晶片中;以及使晶片经受热辐射源
机译:在结晶碳化硅半导体衬底中或之上的接触和导电路径的产生包括以指定的离子剂量和能量在指定的温度下将铝注入到衬底中
机译:通过注入和晶片键合转移碳化硅薄膜的方法
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