机译:使用埋入式栅极静态感应晶体管的极低导通电阻SiC共源共栅配置
机译:通过使用非对称自共源共栅配置改善FD SOI晶体管的DC模拟特性
机译:级联配置的3.3 kV双通道掺杂SiC垂直结场效应晶体管的静态和开关特性
机译:使用1.8V晶体管的栅极驱动3.3V ESD钳位
机译:关于使用堆叠晶体管的3.3v / 5v低泄漏高温数字单元库的建议。
机译:使用不同缓冲层配置的200mm硅(111)衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构研究
机译:1.8V自偏置互补折叠式CasCODE放大器