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Effects of LO-phonon confinement on electron mobility in GaAs-Al0.45 Ga0.55As superlattice

机译:LO-声子限制对Gaas-al0.55 Ga0.55as超晶格中电子迁移率的影响

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摘要

The parallel and perpendicular electron mobilities in a GaAs-Al₀.₄₅ Ga₀.₅₅As superlattice have been calculated. The scattering of electrons by confined longitudinal optical phonons was taken into account. Using the quantum treatment, we offered the new wavefunction of electron miniband conduction in the superlattice as well as reformulation of the slab model for confined LO-phonon modes. An expression for the relaxation time was obtained. Our results show that the relaxation time depends significantly on the total energy of electrons. The effect of the band nonparabolicity on the relaxation time was analyzed. At 300 K, the calculated results reveal that the electron mobility is enhanced when the well width in the superlattice is equal to 45 A.
机译:已经计算了GaAs-Al₀.₄₅₄₅Supars中的平行和垂直的电子迁移率。考虑到密闭的纵向光学声子的电子散射。使用量子处理,我们在超晶格中提供了电子Miniband传导的新波功能以及限制LO-Phonon模式的板式模型的重构。获得了弛豫时间的表达。我们的结果表明,放松时间显着取决于电子的总能量。分析了带非协和性对松弛时间的影响。在300k时,计算结果表明,当超晶格中的井宽等于45A时,可以提高电子迁移率。

著录项

  • 作者

    D. Abouelaoualim;

  • 作者单位
  • 年度 2004
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类

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