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【2h】

Generation and Growth of Atomic-Scale Roughness at Surface and Interface of Silicon Dioxide Thermally Grown on Atomically Flat Si Surface

机译：在原子平Si表面热生长的二氧化硅表面和界面的原子粗糙度的产生和生长

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Yuusuke Hayashi; Ryu Hasunuma; Kikuo Yamabe;
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年度 2011
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1. Roughness Increase on Surface and Interface of SiO_2 Grown on Atomically Flat Si(111) Terrace [J] . Keichiro Ohsawa, Yusuke Hayashi, Ryu Hasunuma, Japanese journal of applied physics . 2009,第5issue2期

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2. Theoretical search for atomic-like states of silicon at the surface of thermally grown SiO_2 films on silicon surfaces [J] . G.F. CEROFOLINI, P. BELANZONI, G. GIORGI, Applied Physics. A, Materials Science & Processing . 2005,第8期

机译：在硅表面上热生长的SiO_2薄膜表面上的硅原子态的理论研究
3. Atomically Flat Silicon Surface and Silicon/Insulator Interface Formation Technologies for (100) Surface Orientation Large-Diameter Wafers Introducing High Performance and Low-Noise Metal–Insulator–Silicon FETs [J] . Kuroda R., Suwa T., Teramoto A., IEEE Transactions on Electron Devices . 2009,第2期

机译：用于（100）表面定向大直径晶圆的原子平坦硅表面和硅/绝缘体界面形成技术，引入了高性能和低噪声的金属-绝缘体-硅FET
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5. First-principles theoretical studies of titanium dioxide(110) surfaces and silicon(100)/silicon dioxide interfaces. [D] . Ng, Kwok-On (Keith). 1999

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机译：在液-固界面处的固体表面上吸附原子的原子级热操纵
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