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Langevin Forces and Generalized Transfer Fields for Noise Modelling in Deep Submicron Devices

机译：深度亚微米器件中噪声建模的Langevin力和广义转移领域

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P. Shiktorov; E. Starikov; V. Gruzinskis; T. GonzáLez; J. Mateos; D. Pardo; L. Reggiani; L. Varani; J. C. Vaissiére;
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年度 2001
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1. Langevin Forces and Generalized Transfer Fields forNoise Modelling in Deep Submicron Devices [J] . P.Shiktorov, E.Starikov, V.Gruzinskis, VLSI Design . 2001,第1a4期

机译：Langevin力和深亚微米器件噪声建模的广义传递场
2. Langevin forces and generalized transfer fields for noise modeling in deep submicron devices [J] . Shiktorov P., Starikov E. IEEE Transactions on Electron Devices . 2000,第10期

机译：Langevin力和广义传递场，用于深亚微米器件中的噪声建模
3. Generalized transfer-fields and Langevin forces for hot-carrier fluctuations in semiconductor submicron devices [J] . E. Starikov, P. Shiktorov, V. Gruzinskis, Physica, B. Condensed Matter . 1999,第1a4期

机译：半导体亚微米器件中热载流子波动的广义传递场和兰文芬力
4. Langevin forces and generalized transfer fields for noise modelling in deep submicron devices [C] . Shiktorov, P., Starikov, . 2000

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5. Noise modeling, evaluation and noise-tolerant design of very deep submicron VLSI circuits. [D] . Ding, Li. 2004

机译：非常深的亚微米VLSI电路的噪声建模，评估和抗噪声设计。
6. Generalized Langevin dynamics of a nanoparticle using a finite element approach: Thermostating with correlated noise [O] . B. Uma, T. N. Swaminathan, P. S. Ayyaswamy, -1

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7. Modeling and Layout Optimization of VLSI Devices and Interconnects in Deep Submicron Design [O] . Jason Cong 1997

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8. Output Signal-To-Noise Ratio and Output Correlation Function of Nonlinear Devices Having Generalized Hypergeometric or Polynomial Transfer Characteristics [R] . Westemean, K. 1969

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