机译:在130nm CMOS工艺中由于栅极氧化物过应力而导致的自举技术导致开关电容器电路的电路性能下降
机译:在130nm CMOS工艺中由于栅极氧化物过应力而导致的自举技术导致开关电容器电路的电路性能下降
机译:MOSFET栅极氧化物可靠性对130nm低压工艺中CMOS运算放大器的影响
机译:在130 nm CMOS工艺中由于栅极氧化物过应力而导致的采样保持放大器的电路性能下降
机译:用于低压信号处理应用的高性能CMOS开关电流电路
机译:机械上灵活的高性能CMOS逻辑电路
机译:考虑低压CmOs工艺中栅氧化层可靠性的电荷泵电路设计
机译:18 GHz,10.9 dBm全集成功率放大器,130 nm CmOs中具有23.5%paE