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【2h】

Electron mobility enhancement in solution-processed low-voltage In2O3 transistors via channel interface planarization

机译：通过通道接口平面化溶液处理的低压IN2O3晶体管的电子移动性增强

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Alexander D. Mottram; Pichaya Pattanasattayavong; Ivan Isakov; Gwen Wyatt-Moon; Hendrik Faber; Yen-Hung Lin; Thomas D. Anthopoulos;
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年度 2018
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