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【2h】

The impact transconductance parameter and threshold voltage of MOSFET’s in static characteristics of CMOS inverter

机译：MOSFET在CMOS逆变器静态特性中的冲击跨导参数和阈值电压

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Milaim Zabeli; Nebi Caka; Myzafere Limani; Qamil Kabashi;
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年度 2017
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机译：NMOS晶体管的阈值电压和跨导参数在NMOS逆变器性能中对于静态和开关操作条件的作用
2. Numerical analysis of localised charges impact on static and dynamic performance of nanoscale cylindrical surrounding gate MOSFET based CMOS inverter [J] . Rajni Gautam, Manoj Saxena, R.S. Gupta, Microelectronics & Reliability . 2013,第2期

机译：基于局部电荷的数值分析对基于CMOS反相器的纳米圆柱围栅MOSFET静态和动态性能的影响
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4. Impact of the threshold voltage and transconductance parameters of NMOS transistors in NMOS inverter performance for static conditions of operation [C] . MILAIM ZABELI, NEBI CAKA, MYZAFERE LIMANI, International Conference on Telecommunications and Informatics . 2013

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