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机译:硼 - 间质性簇对高剂量硼植入超缓交界处的空穴迁移率降解的影响
Fabrice Severac; Fuccio Cristiano; Elena Bedel-Pereira; Pier Francesco Fazzini; Jonathan Boucher; Wilfried Lerch; Silke Hamm;
机译:硼间隙簇对高剂量硼注入超浅结中空穴迁移率下降的影响
机译:硼间隙团簇对高剂量硼注入超浅结中霍尔散射因子的影响
机译:超浅结对0.25- / splμ/ m nMOSFET以下热载流子降解的影响
机译:B剂量和Ge预非晶化能量对绝缘体上硅中超浅结的电和结构性质的影响
机译:纯有机4HCB单晶,具有高孔迁移率,用于直接检测超级剂量X辐射
机译:超结半导体组件具有n型区域,n型区域中的电子迁移率和p型区域中的空穴的迁移率等于或低于第一本征半导体区域中的电子或空穴迁移率的一半
机译:用作薄膜化油器的燃料定量给料装置,其中可动元件的位置和/或移动性会受到主动设定件的影响
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