机译:CMOS 65 nm SOI中具有14.5 dBm饱和功率和25%峰值PAE的60 GHz功率放大器
机译:一种V波段功率放大器,采用65nm CMOS技术,具有23.7dBm的输出功率,22.1%的PAE和29.7dB的增益
机译:A 25.1 DBM 25.9-DB增益25.4%PAE X波段功率放大器利用65-NM CMOS中的电压组合变压器
机译:8-18GHz AB类功率放大器,在整个X-Ku频段上具有16dBm的输出功率和23%的PAE
机译:使用SiC HEMT器件上的GaN的3.6 GHz Doherty功率放大器,其饱和输出功率为40 dBm。
机译:适用于2.5 GHz至6 GHz干扰器系统的紧凑型20W GaN内部匹配功率放大器
机译:A 25.1 DBM 25.9-DB增益25.4%PAE X波段功率放大器利用65-NM CMOS中的电压组合变压器
机译:18 GHz,10.9 dBm全集成功率放大器,130 nm CmOs中具有23.5%paE