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【2h】

Multiple wavelength InGaAs quantum dot lasers using selective area epitaxy

机译：使用选择性区域外延的多波长IngaAs量子点激光器

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S. Mokkapati; H. H. Tan; C. Jagadish;
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年度 2007
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1. Multiple wavelength InGaAs quantum dot lasers using selective area epitaxy [J] . S. Mokkapati, H. H. Tan, C. Jagadish Applied Physics Letters . 2007,第17期

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2. High-performance long-wavelength InGaAs/GaAs multiple quantum-well lasers grown by molecular beam epitaxy [J] . G. Adolfsson, S.M. Wang, M. Sadeghi, Electronics Letters . 2007,第8期

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3. Strained-layer 1.5 mu m wavelength InGaAs/InP multiple quantum well lasers grown by chemical beam epitaxy [J] . Tsang W.T., Wu M.C. Electronics Letters . 1990,第24期

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4. Room temperature operation of patterned InGaAs quantum dot lasers fabricated by electron beats lithography and selective area epitaxy [C] . Elarde, V.C., Rangarajan, . 2004

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