首页> 外文OA文献 >Rapid growth of zinc oxide nanobars in presence of electric field by physical vapor deposition

【2h】

Rapid growth of zinc oxide nanobars in presence of electric field by physical vapor deposition

机译：通过物理气相沉积在电场存在下氧化锌纳米氧化锌的快速生长

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Mehraban Jouya; Fahime Taromian; Simin Siami;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2017
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Rapid growth of zinc oxide nanobars in presence of electric field by physical vapor deposition [J] . Mehraban Jouya, Fahime Taromian, Simin Siami Journal of theoretical and applied physics . 2017,第4期

机译：电场作用下通过物理气相沉积法快速生长氧化锌纳米棒
2. On the influence of dc electric fields on the aerosol assisted chemical vapor deposition growth of photoactive titanium dioxide thin films [J] . Romero L., Binions R. Langmuir: The ACS Journal of Surfaces and Colloids . 2013,第44期

机译：直流电场对光敏二氧化钛薄膜气溶胶辅助化学气相沉积生长的影响
3. Improved electrical stability and UV emission of zinc oxide thin films prepared by combination of metalorganic chemical vapor deposition technique and post-deposition hydrogen doping [J] . Seung Yeop Myong, Koeng Su Lim Organic Electronics . 2007,第1期

机译：结合金属有机化学气相沉积技术和沉积后氢掺杂制备的氧化锌薄膜的电稳定性和紫外线发射改善
4. Growth of Highly Oriented Zinc Oxide Thin Films by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition [C] . Hee Joon Kim, Dong Young Jang, Prem Kumar Shishodia, International Conference on Advanced Nondestructive Evaluation . 2006

机译：等离子体增强化学气相沉积高度取向氧化锌薄膜的生长
5. Zinc beta-iminoesterates for the growth of zinc oxide via atmospheric pressure metalorganic chemical vapor deposition (AP-MOCVD). [D] . Onakoya, Olamide Onayemi. 2007

机译：β-亚氨基锌锌可通过大气压金属有机化学气相沉积（AP-MOCVD）来生长氧化锌。
6. Idiosyncrasies of Physical Vapor Deposition Processesfrom Various Knudsen Cells for Quinacridone Thin Film Growth on SiliconDioxide [O] . Boris Scherwitzl, Christian Röthel, AndrewO. F. Jones, -1

机译：物理气相沉积过程的特质各种克努森细胞制备的喹Quin啶酮薄膜在硅上生长二氧化物
7. Electrical properties of GaAs metal–oxide–semiconductor structure comprising Al2O3 gate oxide and AlN passivation layer fabricated in situ using a metal–organic vapor deposition/atomic layer deposition hybrid system [O] . Takeshi Aoki, Noboru Fukuhara, Takenori Osada, 2015

机译：使用金属有机气相沉积/原子层沉积混合系统原位制造的包含al2O3栅极氧化物和alN钝化层的Gaas金属氧化物半导体结构的电特性
8. Low Temperature Film Growth of the Oxides of Zinc, Aluminum, and Vanadium (and Related Systems, Oxides of Gold and Germanium, Nitrides of Aluminum and Tungsten) by Reactive Sputter Deposition [R] . Aita, C. R. 1988

机译：反应溅射沉积法制备锌，铝和钒（及相关系统，金和锗氧化物，铝和钨氮化物）氧化物的低温薄膜生长

Rapid growth of zinc oxide nanobars in presence of electric field by physical vapor deposition

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅