Surface-Passivated High-Resistivity Silicon Substrates for RFICs

机译：用于RFIC的表面钝化的高电阻率硅基板

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
B. Rong; J.N. Burghartz; L.K. Nanver; B. Rejaei; M. vanderZwan;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2004
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Surface-passivated high-resistivity silicon substrates for RFICs [J] . Rong B., Burghartz J.N., Nanver L.K., IEEE Electron Device Letters . 2004,第4期

机译：用于RFIC的表面钝化高电阻硅衬底
2. Nanocrystalline silicon thickness dependence of transmission characteristics of CPWs on surface-passivated high-resistivity silicon substrates [J] . R.-L. Wang, Y.-K. Su, C.-J. Chen, Electronics Letters . 2011,第20期

机译：表面钝化高电阻率硅衬底上CPW传输特性的纳米晶硅厚度依赖性
3. Surface-Passivated High-Resistivity Silicon as a True Microwave Substrate [J] . Marco Spirito, Francesco Maria De Paola, Lis K. Nanver, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques . 2005,第7期

机译：表面钝化高电阻率硅作为真正的微波衬底
4. Influence of polysilicon thickness on the microwave attenuation losses of the CPWs fabricated on polysilicon-passivated high-resistivity silicon substrates [C] . Chen Chao-Jung, Wang Ruey-Lue, Su Yan-Kuin, International Semiconductor Device Research Symposium;ISDRS '09 . 2009

机译：多晶硅厚度对在钝化多晶硅的高电阻硅衬底上制造的CPW的微波衰减损耗的影响
5. Characterization of High-Resistivity Silicon Bulk and Silicon-on-Insulator Wafers. [D] . Nayak, Pinakpani. 2012

机译：高电阻率硅块体和绝缘体上硅片的表征。
6. Selective Functionalization with PNA of Silicon Nanowireson Silicon Oxide Substrates [O] . Janneke Veerbeek, Raymond Steen, Wouter Vijselaar, -1

机译：硅纳米线的PNA选择性功能化在氧化硅衬底上
7. Surface-passivated high-resistivity silicon as a true microwave substrate [O] . M. Spirito, F.M. De Paola, L.K. Nanver, 2005

机译：表面钝化的高电阻率硅作为真正的微波衬底

Surface-Passivated High-Resistivity Silicon Substrates for RFICs

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅