机译:一种利用C-V,G-V和I-V模拟来研究III-V MOSFET高kappa电介质中的缺陷分布和原生氧化物的新技术
机译:AlGaN / GaN HEMT器件中基于物理的I-V和C-V特性的紧凑模型
机译:Ni / n-TiO_2 / p-Si / Al异质结构在宽温度范围内的I-V和C-V特性的势垒不均匀性研究
机译:GE和III-V材料/高κMOS装置C-V和I-V特性的量子仿真
机译:使用渐近方法,利用靠近硅/二氧化硅界面的薄氧化物,利用量子力学效应对MOSFET器件的电流-电压(I-V)特性进行建模。
机译:材料特性和流道布局几何形状对几何平衡注射模填充不平衡影响的模拟研究
机译:P3HT:PCBM有机材料的镍自旋量子交叉器件的制备及电流电压特性