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机译:Czochralski技术的高温氧化物晶体生长的热场
T.-H. Xu; W.-Q. Peng; Q.-M. Zheng; C.-M. Huang; G.-G. Xu;
机译:超高温下快速热氧化对切克劳斯基硅晶体中氧析出行为的影响II
机译:超高温下快速热氧化对直拉硅硅晶体氧析出行为的影响
机译:低热梯度直拉技术生长CdWO_4晶体和(010)裂解表面的性质
机译:用CCHOCHRALSKI技术模拟氧化物晶体生长中结晶前沿的晶面形成。
机译:通过Czochralski和Bridgman技术研究精选的II-VI氧化物的晶体生长。
机译:低热梯度切克劳斯基技术在氧化物闪烁晶体研究中的最新进展
机译:单晶半导体生长技术-使用切克劳斯基(Czochralski)方法加上外加磁场,可提供均衡的轴向氧浓度。水晶坯
机译:直拉生长或氧化物单晶-与加成物一起用作标准反应器。围绕坩埚内部晶体生长区域的渗透性晶格,以控制温度。
机译:用CCHOCHRALSKI增长技术监测热晶生长过程质量的系统。
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