机译:Zn注入的Si(001)衬底表面层热退火后的缺陷结构转变
机译:氮离子植入下的缺陷形成,随后在具有未涂覆的表面和覆盖着ALN薄膜的表面的GaAs结构中的退火
机译:通过注入和脉冲激光退火形成的近表面硅层的纳米结构
机译:级联氦注入/退火法在硅中形成多层纳米腔并进行表征
机译:通过聚焦离子束注入和银金属化与薄膜硅化物层的集成形成纳米结构的硅化物。
机译:Zn注入的Si(001)衬底表面层热退火后的缺陷结构转变
机译:铜离子注入改性表面层形成纳米级区域结构和铌酸锂异常转换动力学
机译:通过离子注入和注入后退火在铍中形成亚表面铝层。